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SUP60N10-18P-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數量:
 3663  
說明:
 MOSFET 100V 60A 150W 18.3mohm @ 10V
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SUP60N10-18P-E3-TO-220-3圖片

SUP60N10-18P-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:18 ns
上升時間:10 ns
功率耗散:150 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:48 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :33 S
下降時間:8 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0183 Ohms
漏極連續電流:60 A
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUP60N10-18P-E3的詳細信息,包括SUP60N10-18P-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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