色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SUP60N06-18-E3

SUP60N06-18-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220AB-3
數量：: 1728
說明：: MOSFET 60V 60A 120W

一、本商品被瀏覽0次.

SUP60N06-18-E3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：25 ns
商標名：TrenchFET
工廠包裝數量：500
上升時間：11 ns
功率耗散：120 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：15 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：18 mOhms
漏極連續電流：60 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUP60N06-18-E3的詳細信息，包括SUP60N06-18-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ