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SUP60N06-12P-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 3636  
說明:
 MOSFET 60V 60A 100W 12mohm @ 10V
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SUP60N06-12P-E3-TO-220-3圖片

SUP60N06-12P-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:16 ns
工廠包裝數(shù)量:500
上升時間:11 ns
功率耗散:3.25 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:8 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):12 mOhms
漏極連續(xù)電流:60 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUP60N06-12P-E3的詳細信息,包括SUP60N06-12P-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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