色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 電源 > 電源管理 IC > 開(kāi)關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器 > SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8
數(shù)量：: 5913
說(shuō)明：: MOSFET 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET

一、本商品被瀏覽0次.

SIS890DN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SIS890DN-GE3
功率耗散：52 W
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：23.5 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：30 A
閘/源擊穿電壓：3 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIS890DN-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIS890DN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產(chǎn)品：

軟開(kāi)關(guān) PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數(shù)校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開(kāi)關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器最新產(chǎn)品：