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SIS902DN-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8 雙
數(shù)量：: 3402
說(shuō)明：: MOSFET 75V 4.0A 15.4W 186mohm @ 10V

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SIS902DN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SIS902DN-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：12 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：18 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.186 Ohms
漏極連續(xù)電流：3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：75 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIS902DN-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIS902DN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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