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SISA04DN-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? 1212-8
數(shù)量:
 3465  
說明:
 MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
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SISA04DN-T1-GE3-PowerPAK? 1212-8圖片

SISA04DN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SISA04DN-GE3
功率耗散:52 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK 1212-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2.15 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:40 A
閘/源擊穿電壓:+ 20 V, - 16 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SISA04DN-T1-GE3的詳細信息,包括SISA04DN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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