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SIS892DN-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? 1212-8
數量:
 3393  
說明:
 MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V
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SIS892DN-T1-GE3-PowerPAK? 1212-8圖片

SIS892DN-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIS892DN-GE3
功率耗散:52 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:14.2 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :22 S
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK 1212-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):29 mOhms
漏極連續電流:30 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIS892DN-T1-GE3的詳細信息,包括SIS892DN-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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