SIS888DN-T1-GE3

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8S
數量：: 11305
說明：: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK

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SIS888DN-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝：PowerPAK? 1212-8S
封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8S
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TA）
同步整流器：52W（Tc）
頻率 - 開關：-
電流 - 輸出：420 pF @ 75 V
電壓 - 輸出（最大值）：±20V
電壓 - 輸出（最小值/固定）：14.5 nC @ 10 V
電壓 - 輸入（最大值）：4.2V @ 250μA
電壓 - 輸入（最小值）：58 毫歐 @ 10A，10V
輸出數：7.5V，10V
輸出類型：20.2A（Tc）
拓撲：150 V
輸出配置：MOSFET（金屬氧化物）
功能：N 通道
產品狀態：在售
包裝：ThunderFET?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Vishay Siliconix

以上是SIS888DN-T1-GE3的詳細信息，包括SIS888DN-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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