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SIHG30N60E-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-247-3
數(shù)量:
 5462  
說明:
 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
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SIHG30N60E-GE3-TO-247-3圖片

SIHG30N60E-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:63 ns
上升時間:32 ns
功率耗散:250 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:130 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :5.4 S
下降時間:36 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-247AC-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):125 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:29 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHG30N60E-GE3的詳細信息,包括SIHG30N60E-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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