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SIHP10N40D-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220AB
數量:
 5013  
說明:
 MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS
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SIHP10N40D-E3-TO-220AB圖片

SIHP10N40D-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

功率耗散:147 W
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB-3
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):600 mOhms at 10 V
漏極連續電流:10 A
閘/源擊穿電壓:5 V
汲極/源極擊穿電壓:400 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP10N40D-E3的詳細信息,包括SIHP10N40D-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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