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SIHG73N60E-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-247-3
數(shù)量:
 4995  
說(shuō)明:
 MOSFET 650 Volts 73 Amps 520 Watts
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SIHG73N60E-E3-TO-247-3圖片

SIHG73N60E-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:290 ns
上升時(shí)間:158 ns
功率耗散:520 W
柵極電荷 Qg:362 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :12 S
下降時(shí)間:180 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-247AC
安裝風(fēng)格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.039 Ohms
漏極連續(xù)電流:73 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHG73N60E-E3的詳細(xì)信息,包括SIHG73N60E-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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