色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

SIHG33N60E-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-247AC
數量:
 4950  
說明:
 MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
SIHG33N60E-GE3-TO-247AC圖片

SIHG33N60E-GE3 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

典型關閉延遲時間:150 ns
商標名:E-Series
上升時間:90 ns
功率耗散:278 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:150 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :11 S
下降時間:80 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-247AC-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):99 mOhms at 10 V
漏極連續電流:33 A
閘/源擊穿電壓:4 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHG33N60E-GE3的詳細信息,包括SIHG33N60E-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 黔江区| 麻阳| 蚌埠市| 英吉沙县| 英超| 城市| 公安县| 宁化县| 平邑县| 福建省| 沧源| 安义县| 罗田县| 米林县| 武城县| 合阳县| 凉城县| 香港 | 马山县| 鹤庆县| 昭苏县| 吉隆县| 巴林右旗| 都安| 仙游县| 英德市| 桑日县| 莱芜市| 汝城县| 鱼台县| 竹溪县| 汉沽区| 邵武市| 香格里拉县| 乌拉特前旗| 昆明市| 商水县| 田阳县| 紫云| 湛江市| 新河县|