色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<pre id="ok4yk"></pre>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SIHG24N65E-GE3

SIHG24N65E-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-247AC
數量：: 4887
說明：: MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS

一、本商品被瀏覽0次.

SIHG24N65E-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：70 ns
上升時間：84 ns
功率耗散：250 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：122 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：7.1 S
下降時間：69 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247AC-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：145 mOhms at 10 V
漏極連續電流：24 A
汲極/源極擊穿電壓：650 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG24N65E-GE3的詳細信息，包括SIHG24N65E-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ