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SIHG24N65E-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-247AC
數量:
 4878  
說明:
 MOSFET N-Channel 650V
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SIHG24N65E-E3-TO-247AC圖片

SIHG24N65E-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

功率耗散:250 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:81 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :7.1 S
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-247AC-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):145 mOhms
漏極連續電流:24 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:650 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHG24N65E-E3的詳細信息,包括SIHG24N65E-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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