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SIHF12N60E-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3 整包
數量:
 4671  
說明:
 MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS
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SIHF12N60E-E3-TO-220-3 整包圖片

SIHF12N60E-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

上升時間:19 ns
功率耗散:147 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:29 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :3.8 S
下降時間:19 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-220FP-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):380 mOhms at 10 V
漏極連續電流:12 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHF12N60E-E3的詳細信息,包括SIHF12N60E-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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