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SIHB30N60E-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數量:
 5535  
說明:
 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
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SIHB30N60E-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:63 ns
上升時間:32 ns
功率耗散:250 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:85 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :5.4 S
下降時間:36 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:D2PAK (TO-263)
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):125 mOhms at 10 V
漏極連續電流:29 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHB30N60E-GE3的詳細信息,包括SIHB30N60E-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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