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SIA444DJT-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SC-70-6
數量:
 5985  
說明:
 MOSFET N-Channel 30 V (D-S)
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SIA444DJT-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6圖片

SIA444DJT-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIA444DJT-GE3
功率耗散:19 W
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :24 S
包裝形式:Reel
封裝形式:SC-70
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.017 Ohms
漏極連續電流:12 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SIA444DJT-T1-GE3的詳細信息,包括SIA444DJT-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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