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SI5499DC-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SMD,扁平引線
數(shù)量:
 5976  
說明:
 MOSFET 8.0V 6.0A 6.2W 36mohm @ 4.5V
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SI5499DC-T1-GE3-8-SMD,扁平引線圖片

SI5499DC-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SI5499DC-GE3
工廠包裝數(shù)量:3000
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:1206-8 ChipFET
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):36 mOhms
漏極連續(xù)電流:6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 5 V
汲極/源極擊穿電壓:8 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI5499DC-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI5499DC-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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