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SI5481DU-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? CHIPFET? 單
數量:
 4770  
說明:
 MOSFET 20V 12A 17.8W 22mohm @ 4.5V
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SI5481DU-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI5481DU-GE3
典型關閉延遲時間:90 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:50 ns, 25 ns
功率耗散:3.1 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:167 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK-8 ChipFET Single
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):22 mOhms
漏極連續電流:9.7 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI5481DU-T1-GE3的詳細信息,包括SI5481DU-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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