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SI5485DU-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? CHIPFET? 單
數(shù)量:
 4824  
說明:
 MOSFET 20V 12A 31W 25mohm @ 4.5V
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SI5485DU-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SI5485DU-GE3
典型關(guān)閉延遲時間:55 ns, 50 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:50 ns, 15 ns
功率耗散:3.1 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:80 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK-8 ChipFET Single
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):25 mOhms
漏極連續(xù)電流:8.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI5485DU-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI5485DU-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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