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SI5482DU-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? CHIPFET? 單
數量:
 4788  
說明:
 MOSFET 30V 12A 31W 15mohm @ 10V
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SI5482DU-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI5482DU-GE3
典型關閉延遲時間:30 ns, 35 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:85 ns, 10 ns
功率耗散:3.1 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:10 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK-8 ChipFET Single
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):15 mOhms
漏極連續電流:11.1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI5482DU-T1-GE3的詳細信息,包括SI5482DU-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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