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SI2333DDS-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
數量：: 7533
說明：: MOSFET -12V 28mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III

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SI2333DDS-T1-GE3-TO-236-3，SC-59，SOT-23-3圖片

SI2333DDS-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：26 ns
商標名：P-Channel Gen III
上升時間：24 ns
功率耗散：1.7 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：18 S
下降時間：20 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23 (TO-236)
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：28 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：- 6 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI2333DDS-T1-GE3的詳細信息，包括SI2333DDS-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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