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SI2335DS-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOT-23-3(TO-236)
數量:
 7974  
說明:
 MOSFET 12V 4.0A 1.25W 51mohm @ 4.5V
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SI2335DS-T1-GE3-SOT-23-3(TO-236)圖片

SI2335DS-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI2335DS-GE3
工廠包裝數量:3000
功率耗散:750 mW
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-236-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.051 Ohms
漏極連續電流:4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:12 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI2335DS-T1-GE3的詳細信息,包括SI2335DS-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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