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SI2336DS-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
數量:
 729  
說明:
 MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET
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SI2336DS-T1-GE3-TO-236-3,SC-59,SOT-23-3圖片

SI2336DS-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI2336DS-GE3
典型關閉延遲時間:20 nS
上升時間:10 nS
功率耗散:1.8 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:5.7 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :30 S
下降時間:10 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-23-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.042 Ohms at 4.5 V
漏極連續電流:5.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SI2336DS-T1-GE3的詳細信息,包括SI2336DS-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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