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SI2334DS-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
數量:
 6921  
說明:
 MOSFET N-CH 30V SOT-23
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SI2334DS-T1-GE3-TO-236-3,SC-59,SOT-23-3圖片

SI2334DS-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:44 毫歐 @ 4.2A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:4.9A
Id 時的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:10nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :634pF @ 15V
功率 - 最大:1.7W
安裝類型:表面貼裝

以上是SI2334DS-T1-GE3的詳細信息,包括SI2334DS-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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