色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI1553DL-T1-GE3

SI1553DL-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SC-70-6
數(shù)量：: 6237
說明：: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

一、本商品被瀏覽0次.

SI1553DL-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

FET 型：N 和 P 溝道
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：385 毫歐 @ 660ma, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：660mA, 410mA
Id 時的 Vgs(th)（最大）：600mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：1.2nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：-
功率 - 最大：270mW
安裝類型：表面貼裝

以上是SI1553DL-T1-GE3的詳細信息，包括SI1553DL-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ

STD5N80K5