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SI1563EDH-T1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOT-363-6
數(shù)量：: 279
說明：: MOSFET 20V 1.28/1.0

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SI1563EDH-T1 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：350 nS, 840 nS
商標名：TrenchFET
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：85 nS, 480 nS
功率耗散：570 mW
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：0.65 nC, 1.2 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：2.6 S, 1.5 S
下降時間：210 nS, 850 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-363-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.28 Ohms at 4.5 V, 0.49 Ohms at - 4.5 V
漏極連續(xù)電流：1.28 A, - 1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI1563EDH-T1的詳細信息，包括SI1563EDH-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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