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SI1557DH-T1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOT-363-6
數(shù)量:
 252  
說明:
 MOSFET N/P-Ch 12V 1.0/0.56A
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SI1557DH-T1-SOT-363-6圖片

SI1557DH-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:25 nS, 15 nS
商標(biāo)名:TrenchFET
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時(shí)間:25 nS, 30 nS
功率耗散:600 mW
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:0.8 nC, 1.1 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :0.8 S, 1.2 S
下降時(shí)間:10 nS, 10 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-363-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.235 Ohms at 4.5 V, 0.535 Ohms at - 4.5 V
漏極連續(xù)電流:1.3 A, 0.86 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:+/- 12 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI1557DH-T1的詳細(xì)信息,包括SI1557DH-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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