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中文參數(shù)如下:
FET 型:N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:280 毫歐 @ 1.13A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:1.13A, 880mA
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):450mV @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:1nC @ 4.5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :-
功率 - 最大:570mW
安裝類型:*
以上是SI1563EDH-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI1563EDH-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!