色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI1563EDH-T1-GE3

SI1563EDH-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SC-70-6
數(shù)量：: 6876
說(shuō)明：: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

一、本商品被瀏覽0次.

SI1563EDH-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
FET 型：N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：280 毫歐 @ 1.13A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：1.13A, 880mA
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：450mV @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：1nC @ 4.5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：-
功率 - 最大：570mW
安裝類型：*

以上是SI1563EDH-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI1563EDH-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ