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RGT30NL65DGTL

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: LPDS
數(shù)量：: 99
說(shuō)明：: IGBT TRENCH FIELD 650V 30A LPDS

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RGT30NL65DGTL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：55 ns
測(cè)試條件：400V，15A，10 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：18ns/64ns
柵極電荷：32 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：-
功率 - 最大值：133 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，15A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：45 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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