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RGT30NS65DGC9

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-262
數量：: 11231
說明：: IGBT TRENCH FIELD 650V 30A TO262

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RGT30NS65DGC9 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
安裝類型：通孔
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：55 ns
測試條件：400V，15A，10 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：18ns/64ns
柵極電荷：32 nC
輸入類型：標準
開關能量：-
功率 - 最大值：133 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，15A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：45 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RGT30NS65DGC9的詳細信息，包括RGT30NS65DGC9廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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