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RGT30TM65DGC9

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-220NFM
數(shù)量：: 9539
說(shuō)明：: IGBT TRNCH FLD 650V 14A TO220NFM

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RGT30TM65DGC9 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-220-3 整包
安裝類型：通孔
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：55 ns
測(cè)試條件：400V，15A，10 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：18ns/64ns
柵極電荷：32 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：-
功率 - 最大值：32 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，15A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：45 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：14 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

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