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RGT50TM65DGC9

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-220NFM
數(shù)量：: 155
說明：: IGBT TRNCH FLD 650V 21A TO220NFM

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RGT50TM65DGC9 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-220-3 整包
安裝類型：通孔
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：58 ns
測試條件：400V，25A，10歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：27ns/88ns
柵極電荷：49 nC
輸入類型：標準
開關(guān)能量：-
功率 - 最大值：47 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，25A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：75 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：21 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RGT50TM65DGC9的詳細信息，包括RGT50TM65DGC9廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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