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NTD4979NT4G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 DPAK
數量:
 7317  
說明:
 MOSFET
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NTD4979NT4G-DPAK圖片

NTD4979NT4G PDF參數資料

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中文參數如下:

功率耗散:2.56 W
包裝形式:Reel
封裝形式:DPAK
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):9 mOhms
漏極連續(xù)電流:9 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是NTD4979NT4G的詳細信息,包括NTD4979NT4G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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