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NSS40302PDR2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數量：: 3412
說明：: 兩極晶體管 - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A

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NSS40302PDR2G PDF參數資料

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中文參數如下：
認證機構：
封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：100MHz
功率 - 最大值：653mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 1A，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：115mV @ 200mA，2A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：40V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：3A
晶體管類型：NPN，PNP
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

以上是NSS40302PDR2G的詳細信息，包括NSS40302PDR2G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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