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NSS60600MZ4T1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 SOT-223(TO-261)
數量:
 25753  
說明:
 兩極晶體管 - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
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NSS60600MZ4T1G-SOT-223(TO-261)圖片

NSS60600MZ4T1G PDF參數資料

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中文參數如下:
供應商器件:
封裝封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:100MHz
功率 - 最大值:800 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1A,2V
電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):350mV @ 600mA,6A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):60 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):6 A
晶體管類型:PNP
產品狀態:在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌:onsemi

以上是NSS60600MZ4T1G的詳細信息,包括NSS60600MZ4T1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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