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NSS60601MZ4T1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-223
數量：: 4389
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)

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NSS60601MZ4T1G PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：1000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：2000 mW
封裝形式：SOT-223
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：150
增益帶寬產品fT：100 MHz
最大直流電集電極電流：6 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：60 V
集電極—基極電壓 VCBO：100 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是NSS60601MZ4T1G的詳細信息，包括NSS60601MZ4T1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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