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NSS60600MZ4T3G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 SOT-223(TO-261)
數(shù)量:
 5034  
說明:
 兩極晶體管 - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
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NSS60600MZ4T3G-SOT-223(TO-261)圖片

NSS60600MZ4T3G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應(yīng)商器件:
封裝封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:100MHz
功率 - 最大值:800 mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1A,2V
電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):350mV @ 600mA,6A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):60 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):6 A
晶體管類型:PNP
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌:onsemi

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