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IXFN50N80Q2

廠家：: Ixys
封裝：: SOT-227B
數量：: 1332
說明：: MOSFET 50 Amps 800V

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IXFN50N80Q2 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：60 ns
工廠包裝數量：10
上升時間：25 ns
功率耗散：1135 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：13 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227B
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.15 Ohms
漏極連續電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN50N80Q2的詳細信息，包括IXFN50N80Q2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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