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IXFN60N80P

廠家:
  Ixys
封裝:
 SOT-227-4,miniBLOC
數量:
 5310  
說明:
 MOSFET DIODE Id54 BVdass800
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IXFN60N80P-SOT-227-4,miniBLOC圖片

IXFN60N80P PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:110 ns
工廠包裝數量:10
上升時間:29 ns
功率耗散:1040 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:26 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOT-227B
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.14 Ohms
漏極連續電流:53 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:800 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:IXYS

以上是IXFN60N80P的詳細信息,包括IXFN60N80P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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