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IXFN55N50F

廠家：
  Ixys
封裝：
 SOT-227B
數量：
 5283  
說明：
 MOSFET
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IXFN55N50F-SOT-227B圖片

IXFN55N50F PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：45 ns
工廠包裝數量：10
上升時間：20 ns
功率耗散：600 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：9.6 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227B
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.085 Ohms
漏極連續電流：55 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN55N50F的詳細信息，包括IXFN55N50F廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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