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IXFN62N80Q3

廠家：: Ixys
封裝：: SOT-227-4，miniBLOC
數量：: 8640
說明：: MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A

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IXFN62N80Q3 PDF參數資料

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中文參數如下：

上升時間：300 ns
功率耗散：960 W
柵極電荷 Qg：270 nC
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：140 mOhms
漏極連續電流：49 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN62N80Q3的詳細信息，包括IXFN62N80Q3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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