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IPD088N04L G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 3078
說明：: MOSFET N-CH 40V 50A 8.8mOhms

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IPD088N04L G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPD088N04LGBTMA1 IPD088N04LGXT SP000354798
典型關閉延遲時間：18 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：2.8 ns
功率耗散：47 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：3.2 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0088 Ohms
漏極連續(xù)電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD088N04L G的詳細信息，包括IPD088N04L G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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