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IPD088N06N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：
數量：: 4694
說明：: MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

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IPD088N06N3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPD088N06N3GBTMA1 IPD088N06N3GXT SP000453620
典型關閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數量：2500
功率耗散：71 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0088 Ohms at 10 V
漏極連續電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD088N06N3 G的詳細信息，包括IPD088N06N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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