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IPD09N03LB G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數量：
 3123  
說明：
 MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
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IPD09N03LB G-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

IPD09N03LB G PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：9.1 毫歐 @ 50A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：50A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 20µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1600pF @ 15V
功率 - 最大：58W
安裝類型：表面貼裝

以上是IPD09N03LB G的詳細信息，包括IPD09N03LB G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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