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IPD09N03LBG

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 783
說明：: MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

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IPD09N03LBG PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：20 ns
上升時間：5 ns
功率耗散：58 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：14.2 m Ohms
漏極連續(xù)電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD09N03LBG的詳細(xì)信息，包括IPD09N03LBG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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