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IPB60R099C6

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263
數(shù)量:
 2277  
說明:
 MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor
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IPB60R099C6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6XT SP000687468
典型關(guān)閉延遲時間:75 ns
上升時間:12 ns
功率耗散:278 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:119 nC
下降時間:6 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):99 mOhms
漏極連續(xù)電流:37.9 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:650 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPB60R099C6的詳細(xì)信息,包括IPB60R099C6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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