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IPB60R190C6

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO-263
數量:
 3651  
說明:
 MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor
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IPB60R190C6 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPB60R190C6ATMA1 IPB60R190C6XT SP000641916
功率耗散:151 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:PG-TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):190 mOhms
漏極連續電流:20.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPB60R190C6的詳細信息,包括IPB60R190C6廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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