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IPB60R250CPATMA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO263-3-2
數(shù)量:
 6354  
說(shuō)明:
 MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
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IPB60R250CPATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):104W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1200 pF @ 100 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):35 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.5V @ 440μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):250 毫歐 @ 7.8A,10V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):12A(Tc)
漏源電壓(Vdss):650 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:CoolMOS?
系列:卷帶(TR)
品牌:Infineon Technologies

以上是IPB60R250CPATMA1的詳細(xì)信息,包括IPB60R250CPATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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