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IPB60R125C6

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3
數量:
 2815  
說明:
 MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor
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IPB60R125C6-TO-263-3圖片

IPB60R125C6 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6XT SP000687456
典型關閉延遲時間:83 nS
工廠包裝數量:1000
上升時間:12 nS
功率耗散:219 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:96 nC
下降時間:7 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.125 Ohms at 10 V
漏極連續電流:30 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:650 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPB60R125C6的詳細信息,包括IPB60R125C6廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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